Technologisch relevanter Auslesemechanismus für ultraschnelle und stabile magnetische Datenspeicher nachgewiesen
24.11.2021
In der spinbasierten Elektronik, der Spintronik, stellt die Verwendung von Antiferromagneten als aktive Elemente einen neuen Ansatz dar, der ultraschnelle und stabile magnetische Speicherelemente verspricht. Diese Materialien ohne makroskopische Magnetisierung, aber mit alternierender Ausrichtung ihrer mikroskopischen magnetischen Momente, zeichnen sich durch ihre intrinsische Dynamik im Terahertz-Bereich (THz) aus und sie sind zudem unempfindlich gegenüber Magnetfeldern.
Für einen technologisch relevanten Ausleseprozess in der Spintronik sind jedoch große Magnetowiderstandseffekte erforderlich. Das heißt eine Umorientierung der magnetischen Momente sollte mit einer Widerstandsänderungen von mehr als 20 Prozent einhergehen. Dies stellt in der antiferromagnetischen Spintronik eine große Herausforderung dar.
Verfahren nutzt die gut etablierten Auslesemethoden von Ferromagneten
Wie in der Online-Wissenschaftszeitschrift Nature Communications veröffentlicht, konnten Wissenschaftler des Instituts für Physik der Johannes Gutenberg-Universität Mainz (JGU) im Rahmen einer internationalen Kooperation nun eine starke Austauschkopplung von sehr dünnen ferromagnetischen Schichten an die prototypische antiferromagnetische Spintronik-Verbindung von Mangan und Gold mit der chemischen Formel Mn2Au nachweisen. Dies ermöglicht, die etablierten Auslesemethoden von Ferromagneten zu nutzen und große Magnetowiderstandseffekte auch in der antiferromagnetischen Spintronik zu erzielen.
Spintronik ist ein wichtiger Forschungsschwerpunkt am Institut für Physik der JGU. Finanziell unterstützt wurde die Studie unter anderem durch den transregionalen Sonderforschungsbereich SFB/TRR 173 Spin+X der TU Kaiserslautern mit der Johannes Gutenberg-Universität Mainz.